Diodes Incorporated ZXMN6A09GQTA
- ZXMN6A09GQTA
- Diodes Incorporated
- MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- ZXMN6A09GQTA Fiche technique
- TO-261-4, TO-261AA
- Bulk
- Lead free / RoHS Compliant
- 27875
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
- Garantie de qualité de 1 an 》
- Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number ZXMN6A09GQTA |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Diodes Incorporated |
Description MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223 |
Package Bulk |
Series Automotive, AEC-Q101 |
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case TO-261-4, TO-261AA |
Supplier Device Package SOT-223-3 |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 2W (Ta) |
FET Type N-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.4A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 8.2A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24.2 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1407 pF @ 40 V |
Vgs (Max) ±20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V |
Package_case TO-261-4, TO-261AA |
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