Rectron USA RM6N800TI
- RM6N800TI
- Rectron USA
- MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO220F
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- RM6N800TI Fiche technique
- TO-220-3 Full Pack
- Cut Tape (CT)
- Lead free / RoHS Compliant
- 4291
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
- Garantie de qualité de 1 an 》
- Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number RM6N800TI |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Rectron USA |
Description MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO220F |
Package Cut Tape (CT) |
Series - |
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Through Hole |
Package / Case TO-220-3 Full Pack |
Supplier Device Package TO-220F |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 32.4W (Tc) |
FET Type N-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tj) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 4A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1320 pF @ 50 V |
Vgs (Max) ±30V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
Package_case TO-220-3 Full Pack |
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