Vishay Siliconix SUM110N10-09-E3
- SUM110N10-09-E3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 110A TO263
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SUM110N10-09-E3 Fiche technique
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Tape & Reel (TR)
- Lead free / RoHS Compliant
- 28051
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
- Garantie de qualité de 1 an 》
- Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number SUM110N10-09-E3 |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Vishay Siliconix |
Description MOSFET N-CH 100V 110A TO263 |
Package Tape & Reel (TR) |
Series TrenchFET® |
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak) |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 375W (Tc) |
FET Type N-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 30A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6700 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
Package_case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
SUM110N10-09-E3 Des garanties
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