Vishay Siliconix IRF640PBF
- IRF640PBF
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IRF640PBF Fiche technique
- TO-220-3
- Bulk
- Lead free / RoHS Compliant
- 12451
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
- Garantie de qualité de 1 an 》
- Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number IRF640PBF |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Vishay Siliconix |
Description MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB |
Package Bulk |
Series - |
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Through Hole |
Package / Case TO-220-3 |
Supplier Device Package TO-220AB |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 125W (Tc) |
FET Type N-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 11A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
Package_case TO-220-3 |
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