Vishay Siliconix SQD23N06-31L_T4GE3
- SQD23N06-31L_T4GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 60V 23A TO252AA
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SQD23N06-31L_T4GE3 Fiche technique
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Tape & Reel (TR)
- Lead free / RoHS Compliant
- 3643
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
- Garantie de qualité de 1 an 》
- Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number SQD23N06-31L_T4GE3 |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Vishay Siliconix |
Description MOSFET N-CH 60V 23A TO252AA |
Package Tape & Reel (TR) |
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package TO-252AA |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 37W (Tc) |
FET Type N-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 15A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 845 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V |
Package_case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
SQD23N06-31L_T4GE3 Des garanties
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Vishay Siliconix
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