SIA456DJ-T3-GE3

Vishay Siliconix SIA456DJ-T3-GE3

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  • SIA456DJ-T3-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • SIA456DJ-T3-GE3 Fiche technique
  • PowerPAK® SC-70-6
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3592
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
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Part Number
SIA456DJ-T3-GE3
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Vishay Siliconix
Description
MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK
Package
Tape & Reel (TR)
Series
TrenchFET®
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
PowerPAK® SC-70-6
Supplier Device Package
PowerPAK® SC-70-6
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 100 V
Vgs (Max)
±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Package_case
PowerPAK® SC-70-6

SIA456DJ-T3-GE3 Des garanties

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Indice de produit
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