SIHP7N60E-GE3

Vishay Siliconix SIHP7N60E-GE3

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  • SIHP7N60E-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • SIHP7N60E-GE3 Fiche technique
  • TO-220-3
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2435
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
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Part Number
SIHP7N60E-GE3
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Vishay Siliconix
Description
MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
Package
Tube
Series
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
78W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
680 pF @ 100 V
Vgs (Max)
±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
TO-220-3

SIHP7N60E-GE3 Des garanties

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Indice de produit
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