Infineon Technologies IPW90R1K2C3
- IPW90R1K2C3
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IPW90R1K2C3 Fiche technique
- TO-247-3
- TO-247-3
- Lead free / RoHS Compliant
- 1773
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
- Garantie de qualité de 1 an 》
- Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number IPW90R1K2C3 |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Infineon Technologies |
Description MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247 |
Package TO-247-3 |
Series CoolMOS? |
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Through Hole |
Package / Case TO-247-3 |
Supplier Device Package PG-TO247-3 |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 83W (Tc) |
FET Type N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.1A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 310µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 100V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
Vgs (Max) 20V |
Package_case TO-247-3 |
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