Vishay Siliconix SI4196DY-T1-GE3
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- SI4196DY-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI4196DY-T1-GE3 Fiche technique
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
-
Lead free / RoHS Compliant - 12717
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| Part Number SI4196DY-T1-GE3 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Vishay Siliconix |
| Description MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC |
| Package 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Series TrenchFET? |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package 8-SO |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 4.6W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 8A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 830pF @ 10V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V |
| Vgs (Max) ±8V |
| Package_case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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