Vishay Siliconix SI5414DC-T1-GE3
- SI5414DC-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI5414DC-T1-GE3 Fiche technique
- 8-SMD, Flat Lead
- 8-SMD, Flat Lead
- Lead free / RoHS Compliant
- 2355
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
- Garantie de qualité de 1 an 》
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Part Number SI5414DC-T1-GE3 |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Vishay Siliconix |
Description MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8 |
Package 8-SMD, Flat Lead |
Series TrenchFET? |
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case 8-SMD, Flat Lead |
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™ |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
FET Type N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 9.9A, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V |
Vgs (Max) ±12V |
Package_case 8-SMD, Flat Lead |
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