STMicroelectronics SCTL35N65G2V
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- SCTL35N65G2V
- STMicroelectronics
- TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SCTL35N65G2V Fiche technique
- 8-PowerVDFN
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 16613
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
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| Part Number SCTL35N65G2V |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer STMicroelectronics |
| Description TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV |
| Package Tube |
| Series - |
| Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case 8-PowerVDFN |
| Supplier Device Package PowerFlat™ (8x8) HV |
| Technology SiCFET (Silicon Carbide) |
| Power Dissipation (Max) 417W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 67mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 400 V |
| Vgs (Max) +22V, -10V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) - |
| Package_case 8-PowerVDFN |
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