IXFT80N65X2HV

IXYS IXFT80N65X2HV

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  • IXFT80N65X2HV
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IXFT80N65X2HV Fiche technique
  • TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 21132
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
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Part Number
IXFT80N65X2HV
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Description
MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV
Package
Tube
Series
HiPerFET™
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Supplier Device Package
TO-268HV (IXFT)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
890W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8300 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

IXFT80N65X2HV Des garanties

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