IXYS IXTR200N10P
- IXTR200N10P
- IXYS
- MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IXTR200N10P Fiche technique
- TO-247-3
- Tube
- Lead free / RoHS Compliant
- 22600
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
- Garantie de qualité de 1 an 》
- Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number IXTR200N10P |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer IXYS |
Description MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247 |
Package Tube |
Series HiPerFET™, PolarP2™ |
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type Through Hole |
Package / Case TO-247-3 |
Supplier Device Package ISOPLUS247™ |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 300W (Tc) |
FET Type N-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 60A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 500µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 235 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
Package_case TO-247-3 |
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