EPC2029ENGRT

EPC EPC2029ENGRT

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  • EPC2029ENGRT
  • EPC
  • TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • EPC2029ENGRT Fiche technique
  • Die
  • Die
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 7430
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
  • Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number
EPC2029ENGRT
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
EPC
Description
TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
Package
Die
Series
eGaN?
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2 mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 12mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Vgs (Max)
+6V, -4V
Package_case
Die

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