Vishay Siliconix IRFI630GPBF
- IRFI630GPBF
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IRFI630GPBF Fiche technique
- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
- Tube
- Lead free / RoHS Compliant
- 1612
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
- Garantie de qualité de 1 an 》
- Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number IRFI630GPBF |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Vishay Siliconix |
Description MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3 |
Package Tube |
Series - |
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Through Hole |
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Supplier Device Package TO-220-3 |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 35W (Tc) |
FET Type N-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.9A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
Package_case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
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