IRFI630GPBF

Vishay Siliconix IRFI630GPBF

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  • IRFI630GPBF
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IRFI630GPBF Fiche technique
  • TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1612
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
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Part Number
IRFI630GPBF
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Vishay Siliconix
Description
MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
Package
Tube
Series
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Supplier Device Package
TO-220-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
35W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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