Infineon Technologies IRFB23N20DPBF
- IRFB23N20DPBF
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 200V 24A TO220AB
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IRFB23N20DPBF Fiche technique
- TO-220-3
- Tube
- Lead free / RoHS Compliant
- 26245
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
- Garantie de qualité de 1 an 》
- Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number IRFB23N20DPBF |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Infineon Technologies |
Description MOSFET N-CH 200V 24A TO220AB |
Package Tube |
Series HEXFET® |
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type Through Hole |
Package / Case TO-220-3 |
Supplier Device Package TO-220AB |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 170W (Tc) |
FET Type N-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 14A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1960 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±30V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
Package_case TO-220-3 |
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