Infineon Technologies IRF60R217
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- IRF60R217
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 60V 58A DPAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IRF60R217 Fiche technique
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 2417
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
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| Part Number IRF60R217 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Infineon Technologies |
| Description MOSFET N-CH 60V 58A DPAK |
| Package Tape & Reel (TR) |
| Series StrongIRFET™ |
| Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package D-PAK (TO-252AA) |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 83W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 58A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.9mOhm @ 35A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2170 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V |
| Package_case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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