Infineon Technologies IPC100N04S5L1R5ATMA1
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- IPC100N04S5L1R5ATMA1
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IPC100N04S5L1R5ATMA1 Fiche technique
- 8-PowerTDFN
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 26254
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| Part Number IPC100N04S5L1R5ATMA1 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Infineon Technologies |
| Description MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 |
| Package Cut Tape (CT) |
| Series OptiMOS™ |
| Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case 8-PowerTDFN |
| Supplier Device Package PG-TDSON-8-34 |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 115W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 60µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5340 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±16V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V |
| Package_case 8-PowerTDFN |
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