Infineon Technologies IPB200N25N3 G
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- IPB200N25N3 G
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IPB200N25N3 G Fiche technique
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
Lead free / RoHS Compliant - 13425
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| Part Number IPB200N25N3 G |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Infineon Technologies |
| Description MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3 |
| Package TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Series OptiMOS? |
| Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package PG-TO263-2 |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 300W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 250V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 64A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 64A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 270µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7100pF @ 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
| Vgs (Max) 20V |
| Package_case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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