Infineon Technologies IPB025N10N3 G
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- IPB025N10N3 G
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IPB025N10N3 G Fiche technique
- TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
- TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
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Lead free / RoHS Compliant - 9948
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| Part Number IPB025N10N3 G |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Infineon Technologies |
| Description MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 |
| Package TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) |
| Series OptiMOS? |
| Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) |
| Supplier Device Package PG-TO263-7 |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 300W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 275µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 206nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14800pF @ 50V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V |
| Vgs (Max) 20V |
| Package_case TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) |
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