FF150R12ME3GBOSA1

Infineon Technologies FF150R12ME3GBOSA1

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  • FF150R12ME3GBOSA1
  • Infineon Technologies
  • IGBT MOD 1200V 200A 695W
  • Transistors - IGBTs - Modules
  • FF150R12ME3GBOSA1 Fiche technique
  • Module
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 6777
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
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Part Number
FF150R12ME3GBOSA1
Category
Transistors - IGBTs - Modules
Manufacturer
Infineon Technologies
Description
IGBT MOD 1200V 200A 695W
Package
Bulk
Series
-
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Power - Max
695 W
Configuration
Single Chopper
Current - Collector (Ic) (Max)
200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 150A
Input Capacitance (Cies) @ Vce
10.5 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
Yes
Package_case
Module

FF150R12ME3GBOSA1 Des garanties

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Indice de produit
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