Infineon Technologies BSM100GB120DN2KHOSA1
- BSM100GB120DN2KHOSA1
- Infineon Technologies
- IGBT MOD 1200V 145A 700W
- Transistors - IGBTs - Modules
- BSM100GB120DN2KHOSA1 Fiche technique
- Module
- Tray
- Lead free / RoHS Compliant
- 8567
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
- Garantie de qualité de 1 an 》
- Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number BSM100GB120DN2KHOSA1 |
Category Transistors - IGBTs - Modules |
Manufacturer Infineon Technologies |
Description IGBT MOD 1200V 145A 700W |
Package Tray |
Series - |
Operating Temperature 150°C (TJ) |
Mounting Type Chassis Mount |
Package / Case Module |
Supplier Device Package Module |
Power - Max 700 W |
Configuration Half Bridge |
Current - Collector (Ic) (Max) 145 A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V |
Current - Collector Cutoff (Max) 2 mA |
IGBT Type - |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 100A |
Input Capacitance (Cies) @ Vce 6.5 nF @ 25 V |
Input Standard |
NTC Thermistor No |
Package_case Module |
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