BSM100GB120DN2KHOSA1

Infineon Technologies BSM100GB120DN2KHOSA1

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  • BSM100GB120DN2KHOSA1
  • Infineon Technologies
  • IGBT MOD 1200V 145A 700W
  • Transistors - IGBTs - Modules
  • BSM100GB120DN2KHOSA1 Fiche technique
  • Module
  • Tray
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 8567
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
  • Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number
BSM100GB120DN2KHOSA1
Category
Transistors - IGBTs - Modules
Manufacturer
Infineon Technologies
Description
IGBT MOD 1200V 145A 700W
Package
Tray
Series
-
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Power - Max
700 W
Configuration
Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max)
145 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector Cutoff (Max)
2 mA
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 100A
Input Capacitance (Cies) @ Vce
6.5 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Package_case
Module

BSM100GB120DN2KHOSA1 Des garanties

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Indice de produit
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