BSB056N10NN3GXUMA1

Infineon Technologies BSB056N10NN3GXUMA1

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  • BSB056N10NN3GXUMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • BSB056N10NN3GXUMA1 Fiche technique
  • 3-WDSON
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 29895
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
  • Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number
BSB056N10NN3GXUMA1
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Infineon Technologies
Description
MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
Package
Tape & Reel (TR)
Series
OptiMOS™
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
3-WDSON
Supplier Device Package
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5500 pF @ 50 V
Vgs (Max)
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Package_case
3-WDSON

BSB056N10NN3GXUMA1 Des garanties

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Indice de produit
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