IPT015N10N5ATMA1

Infineon Technologies IPT015N10N5ATMA1

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  • IPT015N10N5ATMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IPT015N10N5ATMA1 Fiche technique
  • 8-PowerSFN
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 4718
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
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Part Number
IPT015N10N5ATMA1
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Infineon Technologies
Description
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Package
Tube
Series
OptiMOS™
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-PowerSFN
Supplier Device Package
PG-HSOF-8-1
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
375W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
16000 pF @ 50 V
Vgs (Max)
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Package_case
8-PowerSFN

IPT015N10N5ATMA1 Des garanties

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Indice de produit
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