VS-GT400TH60N

Vishay Semiconductor - Diodes Division VS-GT400TH60N

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  • VS-GT400TH60N
  • Vishay Semiconductor - Diodes Division
  • IGBT MOD 600V 530A INT-A-PAK
  • Transistors - IGBTs - Modules
  • VS-GT400TH60N Fiche technique
  • Double INT-A-PAK (3 + 8)
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3708
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
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Part Number
VS-GT400TH60N
Category
Transistors - IGBTs - Modules
Manufacturer
Vishay Semiconductor - Diodes Division
Description
IGBT MOD 600V 530A INT-A-PAK
Package
Bulk
Series
-
Operating Temperature
175°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Double INT-A-PAK (3 + 8)
Supplier Device Package
Double INT-A-PAK
Power - Max
1600 W
Configuration
Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max)
530 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
IGBT Type
Trench
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.05V @ 15V, 400A
Input Capacitance (Cies) @ Vce
30.8 nF @ 30 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Package_case
Double INT-A-PAK (3 + 8)

VS-GT400TH60N Des garanties

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Indice de produit
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