Vishay Semiconductor - Diodes Division VS-GB75LA60UF
- VS-GB75LA60UF
- Vishay Semiconductor - Diodes Division
- IGBT MOD 600V 109A 447W SOT227
- Transistors - IGBTs - Modules
- VS-GB75LA60UF Fiche technique
- SOT-227-4, miniBLOC
- Tube
- Lead free / RoHS Compliant
- 1525
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
- Garantie de qualité de 1 an 》
- Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number VS-GB75LA60UF |
Category Transistors - IGBTs - Modules |
Manufacturer Vishay Semiconductor - Diodes Division |
Description IGBT MOD 600V 109A 447W SOT227 |
Package Tube |
Series - |
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Chassis Mount |
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC |
Supplier Device Package SOT-227 |
Power - Max 447 W |
Configuration Single |
Current - Collector (Ic) (Max) 109 A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V |
Current - Collector Cutoff (Max) 50 µA |
IGBT Type NPT |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 35A |
Input Capacitance (Cies) @ Vce - |
Input Standard |
NTC Thermistor No |
Package_case SOT-227-4, miniBLOC |
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