Toshiba Semiconductor and Storage TPH8R80ANH,L1Q
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- TPH8R80ANH,L1Q
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TPH8R80ANH,L1Q Fiche technique
- 8-PowerVDFN
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 28711
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| Part Number TPH8R80ANH,L1Q |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage |
| Description MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP |
| Package Tape & Reel (TR) |
| Series U-MOSVIII-H |
| Operating Temperature 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case 8-PowerVDFN |
| Supplier Device Package 8-SOP Advance (5x5) |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta), 61W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 500µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 50 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
| Package_case 8-PowerVDFN |
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