Transphorm TPH3207WS
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- TPH3207WS
- Transphorm
- GANFET N-CH 650V 50A TO247-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TPH3207WS Fiche technique
- TO-247-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 4041
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
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| Part Number TPH3207WS |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Transphorm |
| Description GANFET N-CH 650V 50A TO247-3 |
| Package Tube |
| Series - |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Through Hole |
| Package / Case TO-247-3 |
| Supplier Device Package TO-247-3 |
| Technology GaNFET (Gallium Nitride) |
| Power Dissipation (Max) 178W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 32A, 8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 2.65V @ 700µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2197 pF @ 400 V |
| Vgs (Max) ±18V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
| Package_case TO-247-3 |
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