TK35N65W5,S1F

Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W5,S1F

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  • TK35N65W5,S1F
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • MOSFET N-CH 650V 35A TO247
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • TK35N65W5,S1F Fiche technique
  • TO-247-3
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 26410
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
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Part Number
TK35N65W5,S1F
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Toshiba Semiconductor and Storage
Description
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Package
Tube
Series
DTMOSIV
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
270W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 2.1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4100 pF @ 300 V
Vgs (Max)
±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
TO-247-3

TK35N65W5,S1F Des garanties

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