Vishay Siliconix SUP85N10-10-GE3
- SUP85N10-10-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SUP85N10-10-GE3 Fiche technique
- TO-220-3
- Cut Tape (CT)
- Lead free / RoHS Compliant
- 4639
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
- Garantie de qualité de 1 an 》
- Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number SUP85N10-10-GE3 |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Vishay Siliconix |
Description MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB |
Package Cut Tape (CT) |
Series TrenchFET® |
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type Through Hole |
Package / Case TO-220-3 |
Supplier Device Package - |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 250W (Tc) |
FET Type N-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 85A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 30A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6550 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V |
Package_case TO-220-3 |
SUP85N10-10-GE3 Des garanties
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