SIR624DP-T1-GE3

Vishay Siliconix SIR624DP-T1-GE3

Name: SIR624DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR624DP-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)
Author: Jinftry

L'image est pour référence seulement, veuillez vous référer aux spécifications du produit

Numéro d'article： SIR624DP-T1-GE3
Fabricant： Vishay Siliconix
La description:MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8
Catégorie： Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche technique： SIR624DP-T1-GE3 Fiche technique
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Paquet/caisse： PowerPAK® SO-8
Paquet： Tape & Reel (TR)
RoHS： Lead free / RoHS Compliant
Quantité en stock： 7621
Ressources en stock：Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
Assurance qualité：Garantie de qualité de 1 an 》
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SIR624DP-T1-GE3 Caractéristiques

Part Number
SIR624DP-T1-GE3

Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Manufacturer
Vishay Siliconix

Description
MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8

Package
Tape & Reel (TR)

Series
ThunderFET®

Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type
Surface Mount

Package / Case
PowerPAK® SO-8

Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8

Technology
MOSFET (Metal Oxide)

Power Dissipation (Max)
52W (Tc)

FET Type
N-Channel

FET Feature
-

Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18.6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 7.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1110 pF @ 100 V

Vgs (Max)
±20V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V

Package_case
PowerPAK® SO-8

Product Introduction
Datasheet
Demande d'échantillon
Emballage
FAQ

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jinfftry-guarantee2 Garantie de service
Notre service garantit la satisfaction du client.
Nous avons une équipe de vente expérimentée et une équipe de support technique pour répondre à tous les besoins des clients.

jinfftry-guarantee3 Assurance qualité
Nous offrons une garantie de 90 jours.
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