SIR466DP-T1-GE3

Vishay Siliconix SIR466DP-T1-GE3

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  • SIR466DP-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • SIR466DP-T1-GE3 Fiche technique
  • PowerPAK® SO-8
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 19325
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
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Numéro de pièce
SIR466DP-T1-GE3
Catégorie
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fabricant
Vishay Siliconix
Description
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Emballer
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
PowerPAK® SO-8
Package d'appareil du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (maximum)
5W (Ta), 54W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
40A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(e) (Max) @Id
2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2730 pF @ 15 V
Vgs (Max)
±20V
Tension de commande (Rds max. activé, Rds min. activé)
4.5V, 10V

SIR466DP-T1-GE3 Des garanties

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