SIR402DP-T1-GE3

Vishay Siliconix SIR402DP-T1-GE3

Name: SIR402DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR402DP-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)
Author: Jinftry

L'image est pour référence seulement, veuillez vous référer aux spécifications du produit

Numéro d'article： SIR402DP-T1-GE3
Fabricant： Vishay Siliconix
La description:MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Catégorie： Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche technique： SIR402DP-T1-GE3 Fiche technique
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Paquet/caisse： PowerPAK® SO-8
Paquet： Tape & Reel (TR)
RoHS： Lead free / RoHS Compliant
Quantité en stock： 1714
Ressources en stock：Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
Assurance qualité：Garantie de qualité de 1 an 》
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SIR402DP-T1-GE3 Caractéristiques

Part Number
SIR402DP-T1-GE3

Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Manufacturer
Vishay Siliconix

Description
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Package
Tape & Reel (TR)

Series
TrenchFET®

Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type
Surface Mount

Package / Case
PowerPAK® SO-8

Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8

Technology
MOSFET (Metal Oxide)

Power Dissipation (Max)
4.2W (Ta), 36W (Tc)

FET Type
N-Channel

FET Feature
-

Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
35A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 15 V

Vgs (Max)
±20V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V

Package_case
PowerPAK® SO-8

Product Introduction
Datasheet
Demande d'échantillon
Emballage
FAQ

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jinfftry-guarantee2 Garantie de service
Notre service garantit la satisfaction du client.
Nous avons une équipe de vente expérimentée et une équipe de support technique pour répondre à tous les besoins des clients.

jinfftry-guarantee3 Assurance qualité
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