SIHG47N60AEF-GE3

Vishay Siliconix SIHG47N60AEF-GE3

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  • SIHG47N60AEF-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • SIHG47N60AEF-GE3 Fiche technique
  • TO-247-3
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 17352
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
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Part Number
SIHG47N60AEF-GE3
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Vishay Siliconix
Description
MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Package
Tube
Series
EF
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
313W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3576 pF @ 100 V
Vgs (Max)
±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
TO-247-3

SIHG47N60AEF-GE3 Des garanties

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Indice de produit
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