Vishay Siliconix SIHFB11N50A-E3
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- SIHFB11N50A-E3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SIHFB11N50A-E3 Fiche technique
- TO-220-3
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 29048
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
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| Part Number SIHFB11N50A-E3 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Vishay Siliconix |
| Description MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB |
| Package Bulk |
| Series - |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Through Hole |
| Package / Case TO-220-3 |
| Supplier Device Package TO-220AB |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 170W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 520mOhm @ 6.6A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1423 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
| Package_case TO-220-3 |
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