SIHB22N60E-GE3

Vishay Siliconix SIHB22N60E-GE3

Name: SIHB22N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB22N60E-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)
Author: Jinftry

L'image est pour référence seulement, veuillez vous référer aux spécifications du produit

Numéro d'article： SIHB22N60E-GE3
Fabricant： Vishay Siliconix
La description:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Catégorie： Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche technique： SIHB22N60E-GE3 Fiche technique
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Paquet/caisse： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquet： Bulk
RoHS： Lead free / RoHS Compliant
Quantité en stock： 18106
Ressources en stock：Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
Assurance qualité：Garantie de qualité de 1 an 》
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SIHB22N60E-GE3 Caractéristiques

Part Number
SIHB22N60E-GE3

Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Manufacturer
Vishay Siliconix

Description
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Package
Bulk

Series
-

Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type
Surface Mount

Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)

Technology
MOSFET (Metal Oxide)

Power Dissipation (Max)
227W (Tc)

FET Type
N-Channel

FET Feature
-

Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
21A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1920 pF @ 100 V

Vgs (Max)
±30V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V

Package_case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Product Introduction
Datasheet
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Emballage
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