Vishay Siliconix SI5475DDC-T1-GE3
- SI5475DDC-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI5475DDC-T1-GE3 Fiche technique
- 8-SMD, Flat Lead
- Cut Tape (CT)
- Lead free / RoHS Compliant
- 18545
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
- Garantie de qualité de 1 an 》
- Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number SI5475DDC-T1-GE3 |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Vishay Siliconix |
Description MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8 |
Package Cut Tape (CT) |
Series TrenchFET® |
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case 8-SMD, Flat Lead |
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™ |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) |
FET Type P-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 5.4A, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 8 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 6 V |
Vgs (Max) ±8V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V |
Package_case 8-SMD, Flat Lead |
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