Vishay Siliconix SI5435BDC-T1-GE3
- SI5435BDC-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI5435BDC-T1-GE3 Fiche technique
- 8-SMD, Flat Lead
- Cut Tape (CT)
- Lead free / RoHS Compliant
- 4972
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
- Garantie de qualité de 1 an 》
- Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number SI5435BDC-T1-GE3 |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Vishay Siliconix |
Description MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8 |
Package Cut Tape (CT) |
Series TrenchFET® |
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case 8-SMD, Flat Lead |
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™ |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta) |
FET Type P-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 4.3A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - |
Vgs (Max) ±20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V |
Package_case 8-SMD, Flat Lead |
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