Vishay Siliconix SI4922BDY-T1-GE3
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- SI4922BDY-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- SI4922BDY-T1-GE3 Fiche technique
- 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width)
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 8724
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
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| Part Number SI4922BDY-T1-GE3 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Manufacturer Vishay Siliconix |
| Description MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC |
| Package Cut Tape (CT) |
| Series TrenchFET® |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package 8-SOIC |
| Power - Max 3.1W |
| FET Type 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2070pF @ 15V |
| Package_case 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width) |
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