SI4426DY-T1-E3

Vishay Siliconix SI4426DY-T1-E3

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  • SI4426DY-T1-E3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 20V 6.5A 8SO
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • SI4426DY-T1-E3 Fiche technique
  • 8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width)
  • Cut Tape (CT)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3659
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
  • Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number
SI4426DY-T1-E3
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Vishay Siliconix
Description
MOSFET N-CH 20V 6.5A 8SO
Package
Cut Tape (CT)
Series
TrenchFET®
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOIC
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
1.5W (Ta)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
Vgs (Max)
±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Package_case
8-SOIC (0.154\", 3.90mm Width)

SI4426DY-T1-E3 Des garanties

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