Vishay Siliconix SI2392DS-T1-GE3
- SI2392DS-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI2392DS-T1-GE3 Fiche technique
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant
- 13619
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
- Garantie de qualité de 1 an 》
- Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number SI2392DS-T1-GE3 |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Vishay Siliconix |
Description MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23 |
Package Tape & Reel (TR) |
Series TrenchFET® |
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package SOT-23 |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) |
FET Type N-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 126mOhm @ 2A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.4 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 196 pF @ 50 V |
Vgs (Max) ±20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V |
Package_case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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