SI2333DS-T1-GE3

Vishay Siliconix SI2333DS-T1-GE3

Name: SI2333DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2333DS-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)
Author: Jinftry

L'image est pour référence seulement, veuillez vous référer aux spécifications du produit

Numéro d'article： SI2333DS-T1-GE3
Fabricant： Vishay Siliconix
La description:MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Catégorie： Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche technique： SI2333DS-T1-GE3 Fiche technique
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Paquet/caisse： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquet： Cut Tape (CT)
RoHS： Lead free / RoHS Compliant
Quantité en stock： 3144
Ressources en stock：Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
Assurance qualité：Garantie de qualité de 1 an 》
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SI2333DS-T1-GE3 Caractéristiques

Part Number
SI2333DS-T1-GE3

Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Manufacturer
Vishay Siliconix

Description
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

Package
Cut Tape (CT)

Series
TrenchFET®

Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type
Surface Mount

Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)

Technology
MOSFET (Metal Oxide)

Power Dissipation (Max)
750mW (Ta)

FET Type
P-Channel

FET Feature
-

Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 5.3A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 6 V

Vgs (Max)
±8V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V

Package_case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Product Introduction
Datasheet
Demande d'échantillon
Emballage
FAQ

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jinfftry-guarantee2 Garantie de service
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Nous avons une équipe de vente expérimentée et une équipe de support technique pour répondre à tous les besoins des clients.

jinfftry-guarantee3 Assurance qualité
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