R6012FNX

Rohm Semiconductor R6012FNX

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  • R6012FNX
  • Rohm Semiconductor
  • MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • R6012FNX Fiche technique
  • TO-220-3 Full Pack
  • Bulk
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 28522
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
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Part Number
R6012FNX
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Rohm Semiconductor
Description
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Package
Bulk
Series
-
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package
TO-220FM
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
50W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
510mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
TO-220-3 Full Pack

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