QJD1210010

Powerex Inc. QJD1210010

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  • QJD1210010
  • Powerex Inc.
  • MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
  • QJD1210010 Fiche technique
  • Module
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1470
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
  • Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number
QJD1210010
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer
Powerex Inc.
Description
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Package
Tape & Reel (TR)
Series
-
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Power - Max
1080W
FET Type
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
500nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10200pF @ 800V
Package_case
Module

QJD1210010 Des garanties

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