NXH50C120L2C2ESG

ON Semiconductor NXH50C120L2C2ESG

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  • NXH50C120L2C2ESG
  • ON Semiconductor
  • IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG
  • Transistors - IGBTs - Modules
  • NXH50C120L2C2ESG Fiche technique
  • 26-PowerDIP Module (1.199\", 47.20mm)
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 841
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
  • Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number
NXH50C120L2C2ESG
Category
Transistors - IGBTs - Modules
Manufacturer
ON Semiconductor
Description
IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG
Package
Tube
Series
-
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
26-PowerDIP Module (1.199\", 47.20mm)
Supplier Device Package
26-DIP
Power - Max
20 mW
Configuration
Three Phase Inverter with Brake
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector Cutoff (Max)
250 µA
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 50A
Input Capacitance (Cies) @ Vce
11.897 nF @ 20 V
Input
Three Phase Bridge Rectifier
NTC Thermistor
Yes
Package_case
26-PowerDIP Module (1.199\", 47.20mm)

NXH50C120L2C2ESG Des garanties

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