NVD4856NT4G

ON Semiconductor NVD4856NT4G

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  • NVD4856NT4G
  • ON Semiconductor
  • MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • NVD4856NT4G Fiche technique
  • TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 18900
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
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Part Number
NVD4856NT4G
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Description
MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK
Package
Tape & Reel (TR)
Series
-
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
DPAK
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
1.33W (Ta), 60W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13.3A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2241 pF @ 12 V
Vgs (Max)
±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Package_case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NVD4856NT4G Des garanties

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