MIEB100W1200TEH

IXYS MIEB100W1200TEH

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  • MIEB100W1200TEH
  • IXYS
  • IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
  • Transistors - IGBTs - Modules
  • MIEB100W1200TEH Fiche technique
  • E3
  • Box
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1423
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
  • Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number
MIEB100W1200TEH
Category
Transistors - IGBTs - Modules
Manufacturer
IXYS
Description
IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
Package
Box
Series
-
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
E3
Supplier Device Package
E3
Power - Max
630 W
Configuration
Three Phase Inverter
Current - Collector (Ic) (Max)
183 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector Cutoff (Max)
300 µA
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 100A
Input Capacitance (Cies) @ Vce
7.43 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
Yes
Package_case
E3

MIEB100W1200TEH Des garanties

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Indice de produit
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