Microsemi Corporation JAN2N6849
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- JAN2N6849
- Microsemi Corporation
- MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- JAN2N6849 Fiche technique
- TO-205AF Metal Can
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 28267
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| Part Number JAN2N6849 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Microsemi Corporation |
| Description MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39 |
| Package Bulk |
| Series Military, MIL-PRF-19500/564 |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Through Hole |
| Package / Case TO-205AF Metal Can |
| Supplier Device Package TO-39 |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| FET Type P-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 320mOhm @ 6.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - |
| Vgs (Max) ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
| Package_case TO-205AF Metal Can |
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