IXTY3N60P

IXYS IXTY3N60P

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  • IXTY3N60P
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 600V 3A TO252
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • IXTY3N60P Fiche technique
  • TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Tube
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1555
  • Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
  • Garantie de qualité de 1 an 》
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Part Number
IXTY3N60P
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Description
MOSFET N-CH 600V 3A TO252
Package
Tube
Series
PolarHV™
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
TO-252AA
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
70W (Tc)
FET Type
N-Channel
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.9Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
411 pF @ 25 V
Vgs (Max)
±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Package_case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IXTY3N60P Des garanties

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