IXYS IXTP3N120
- IXTP3N120
- IXYS
- MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IXTP3N120 Fiche technique
- TO-220-3
- Tube
- Lead free / RoHS Compliant
- 1871
- Stock au comptant / revendeur autorisé / surplus dusine
- Garantie de qualité de 1 an 》
- Cliquez pour obtenir les tarifs
Part Number IXTP3N120 |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer IXYS |
Description MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB |
Package Tube |
Series HiPerFET™ |
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Through Hole |
Package / Case TO-220-3 |
Supplier Device Package TO-220-3 |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 200W (Tc) |
FET Type N-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
Package_case TO-220-3 |
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